EMI（Electro Magnetic Interference）電磁干擾，是電波和高頻電磁波成為噪聲，影響電子設(shè)備或是會(huì)造成影響的電磁波。傳導(dǎo)噪聲，是經(jīng)由線纜和基板配線傳導(dǎo)的噪聲。輻射噪聲，是釋放到空氣中的噪聲。差模（普通模式）噪聲，是發(fā)生在電源線之間，且傳送方向和電流相同的噪聲。共模噪聲，是透過(guò)金屬外殼等，穿過(guò)游離電容等，回到信號(hào)源頭的噪聲。 

電源模塊電路的EMI會(huì)影響其他電路，所以必須實(shí)施EMI對(duì)策。基本上在大電流開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)和線路，增加整合阻抗和具備旁路/過(guò)濾功能的電容器、電阻/電容器電路。

如上圖所示：例如輸出整流二極管增加RC緩沖電路，和輸入緩沖相同，降低ON/OFF時(shí)產(chǎn)生的峰波。一次側(cè)和二次側(cè)間增加Y電容器，增加在一次側(cè)和二次側(cè)的接地之間。經(jīng)由絕緣變壓器的繞組間電容器，是降低一次側(cè)的開(kāi)關(guān)噪聲使二次側(cè)產(chǎn)生的共模噪聲的代表性方法之一。Y-電容器的額定電壓必須和變壓器的絕緣耐壓同等。

MOSFET Q1的漏極－源極間增加電容器，為降低起因于高速開(kāi)關(guān)OFF時(shí)的浪涌，而在MOSFET的漏極－源極間增加電容器的方法。這也是緩沖電路的一種，但是會(huì)增加損耗，因此必須注意溫度上升狀況。

電源模塊的輸出電壓上存在著取決于開(kāi)關(guān)頻率的紋波，以及高頻諧波、電感和電容器所引起的噪聲。當(dāng)這些噪聲造成困擾時(shí)，可以在輸出增加LC濾波器有效解決該困擾。不論何種方式，都必須測(cè)量噪聲、確認(rèn)噪聲對(duì)設(shè)備造成哪些影響。無(wú)法定量測(cè)量值時(shí)，或許可以從設(shè)備的S/N等、性能層面，來(lái)掌握是否會(huì)造成影響。

電源模塊噪聲的產(chǎn)生也和基板布局、部件配置、部件性能等有關(guān)系。視實(shí)際情況而定，將LC濾波器由簡(jiǎn)單的L型，升級(jí)成π型和T型，以及在電路基板上加必須的屏蔽等。視設(shè)備的規(guī)格而定，還必須符合例如國(guó)際無(wú)線電干擾特別委員會(huì)（CISPR）規(guī)范等噪聲、設(shè)備相關(guān)規(guī)范。必須遵照規(guī)范規(guī)格，是最初設(shè)計(jì)時(shí)就必須謹(jǐn)記的。